Silicon nitride substric slectric

ຕໍ່ໄປນີ້ແມ່ນການແນະນໍາທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງSilicon nitride substric slectric, ຫວັງວ່າຈະຊ່ວຍທ່ານໃຫ້ເຂົ້າໃຈມັນດີຂື້ນ. ຍິນດີຕ້ອນຮັບລູກຄ້າໃຫມ່ແລະເກົ່າໃຫ້ສືບຕໍ່ຮ່ວມມືກັບພວກເຮົາເພື່ອສ້າງອະນາຄົດທີ່ດີກວ່າ! silicon silicon nitride ແມ່ນປະເພດຂອງຊັ້ນໃຕ້ທີ່ເຮັດຈາກ silicon nitride, ເປັນອຸປະກອນການ ceramic ທີ່ມີປະສິດຕິພາບສູງ. ບັນດາຊັ້ນຍ່ອຍເຫລົ່ານີ້ແມ່ນໃຊ້ໃນໂປແກຼມເອເລັກໂຕຣນິກແລະວິສະວະກໍາຕ່າງໆທີ່ຄຸນສົມບັດມັກຈະມີຄວາມຮ້ອນສູງ, ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກ, ແລະການສນວນກັບໄຟຟ້າ.

Silicon Nitride Slectraph ceramic ແມ່ນເປັນທີ່ຮູ້ຈັກສໍາລັບຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດຂອງພວກເຂົາກັບຄວາມຮ້ອນຂອງຄວາມຮ້ອນ, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ. ພວກມັນມັກຖືກໃຊ້ເປັນວັດສະດຸທີ່ສນວນໃນອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກ, ໂມດູນພະລັງງານ semiconductor, ແລະການລະລາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ມີປະສິດຕິພາບສູງຂື້ນ.

ຊັ້ນໃຕ້ດິນເຫຼົ່ານີ້ມາໃນຮູບຊົງແລະຂະຫນາດຕ່າງໆໃຫ້ເຫມາະສົມກັບໂປແກຼມທີ່ແຕກຕ່າງກັນແລະສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້ເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການສະເພາະ. ການນໍາໃຊ້ຂອງພວກເຂົາສາມາດນໍາໄປສູ່ການເພີ່ມຂື້ນຂອງຜະລິດຕະພັນທີ່ຫນ້າເຊື່ອຖື, ການປະຕິບັດງານ, ແລະ Lifespans ທີ່ຍາວກວ່າ, ເຮັດໃຫ້ພວກມັນມີສ່ວນປະກອບທີ່ມີຄ່າໃນລະດັບຂອງອຸດສາຫະກໍາ.

ບໍລິສັດTorbo® Silicon Nitride Substraph subMic

ລາຍການ: Silicon Nitride Slectrate

ອຸປະກອນການ: SI3N4

ສີ: ສີເທົາ

ຄວາມຫນາ: 0.25-1mm

ການປຸງແຕ່ງພື້ນຜິວ: ໂປໂລຍສອງຄັ້ງ

ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງສ່ວນໃຫຍ່: 3.24G / ㎤

ພື້ນຜິວ RUSTENGS RA: 0.4μm

ຄວາມເຂັ້ມແຂງໂຄ້ງລົງ: (ວິທີ 3 ຈຸດ): 600-1000MPA

modulus ຂອງ olasticity: 310gpa

ກະດູກຫັກຄວາມເຄັ່ງຕຶງ (ຖ້າວິທີການ): 6.5 MPA √m··√

ການປະຕິບັດຄວາມຮ້ອນ: 25 ° C 15-85 W / (M · k)

ປັດໃຈສູນເສຍການສູນເສຍ dielectric: 0.4

ການຕ້ານທານປະລິມານ: 25 ° C> 1014 ω㎝

ຄວາມແຂງແຮງແຕກ: DC> 15㎸ / ㎜

Torbo® SIlicon nitride substric subMicໃຊ້ໃນຊ່ອງທາງເອເລັກໂຕຣນິກເຊັ່ນ: ໂມດູນແລະເຄື່ອງປ່ຽນແປງໄຟຟ້າພະລັງງານໄຟຟ້າແລະປ່ຽນອຸປະກອນອື່ນເພື່ອເພີ່ມຜົນຜະລິດແລະຫຼຸດຜ່ອນຂະຫນາດແລະນ້ໍາຫນັກ.

ຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງທີ່ສຸດຂອງພວກເຂົາກໍ່ເຮັດໃຫ້ພວກເຂົາເປັນວັດສະດຸທີ່ສໍາຄັນທີ່ຊ່ວຍເພີ່ມຊີວິດແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງຜະລິດຕະພັນທີ່ພວກເຂົາຖືກນໍາໃຊ້.

ການລະດົມຄວາມຮ້ອນສອງດ້ານໃນບັດພະລັງງານ (semiconductors ພະລັງງານ), ຫນ່ວຍຄວບຄຸມພະລັງງານສໍາລັບລົດຍົນ