ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ substrate silicon nitride ແລະ substrate ແມ່ນຫຍັງ?

ຄວາມແຕກຕ່າງຕົ້ນຕໍລະຫວ່າງຊັ້ນໃຕ້ດິນ silicon nitrideແລະ substrate ແມ່ນຄໍານິຍາມ, ການນໍາໃຊ້ແລະຄຸນລັກສະນະຂອງເຂົາເຈົ້າ. ‌

1. ຄໍານິຍາມ ແລະການນໍາໃຊ້

ແຜ່ນຍ່ອຍຊິລິໂຄນ nitride:ຊັ້ນໃຕ້ດິນ Silicon nitrideເປັນວັດສະດຸເຊລາມິກທີ່ຖືກນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍໃນການຜະລິດອຸປະກອນ semiconductor ພະລັງງານ, ໂດຍສະເພາະແມ່ນໂມດູນພະລັງງານ. ມັນມີການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ, ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກສູງແລະການຈັບຄູ່ຄວາມຮ້ອນທີ່ດີ, ແລະເຫມາະສົມສໍາລັບສະຖານະການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ຕ້ອງການຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືສູງແລະທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ. Substrate: ປົກກະຕິແລ້ວ Substrate ຫມາຍເຖິງໂຄງສ້າງສະຫນັບສະຫນູນພື້ນຖານທີ່ໃຊ້ໃນການຜະລິດຊິບ. ວັດສະດຸຍ່ອຍສະຫຼາຍທົ່ວໄປປະກອບມີ wafers ຊິລິຄອນ crystal ດຽວ, substrates SOI, SiGe substrates, ແລະອື່ນໆ.

2. ການປຽບທຽບລັກສະນະ

ຊັ້ນໃຕ້ດິນ Silicon nitride

ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ: ການນໍາຄວາມຮ້ອນຂອງຊິລິໂຄນ nitride ແມ່ນສູງເຖິງ 80 W / m·K ຫຼືຫຼາຍກວ່ານັ້ນ, ເຊິ່ງເຫມາະສົມສໍາລັບຄວາມຕ້ອງການຂອງອຸປະກອນທີ່ມີພະລັງງານສູງ. ຄວາມ​ເຂັ້ມ​ແຂງ​ກົນ​ຈັກ​ສູງ​: ມັນ​ມີ​ຄວາມ​ເຂັ້ມ​ແຂງ​ຂອງ​ການ​ງໍ​ສູງ​ແລະ​ຄວາມ​ທົນ​ທານ​ກະ​ດູກ​ຫັກ​ສູງ​, ການ​ຮັບ​ປະ​ກັນ​ຄວາມ​ຫນ້າ​ເຊື່ອ​ຖື​ສູງ​ຂອງ​ຕົນ​. ການຈັບຄູ່ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ: ມັນມີຄວາມຄ້າຍຄືກັນສູງກັບຊັ້ນໃຕ້ດິນໄປເຊຍກັນ SiC, ຮັບປະກັນການຈັບຄູ່ທີ່ຫມັ້ນຄົງລະຫວ່າງສອງແລະເພີ່ມຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືໂດຍລວມ.

ທາດຍ່ອຍ

ປະເພດຕ່າງໆ: ລວມທັງ wafers ຊິລິໂຄນ crystal ດຽວ, substrates SOI, SiGe substrates, ແລະອື່ນໆ, ແຕ່ລະວັດສະດຸ substrate ມີພາກສະຫນາມຄໍາຮ້ອງສະຫມັກສະເພາະຂອງຕົນແລະຂໍ້ໄດ້ປຽບປະສິດທິພາບ.

ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ທີ່​ກວ້າງ​ຂວາງ​: ນໍາ​ໃຊ້​ເພື່ອ​ຜະ​ລິດ​ປະ​ເພດ​ຂອງ​ຊິບ​ແລະ​ອຸ​ປະ​ກອນ​, ເຊັ່ນ​: ວົງ​ຈອນ​ປະ​ສົມ​ປະ​ສານ​, microprocessors​, ຫນ່ວຍ​ຄວາມ​ຈໍາ​, ແລະ​ອື່ນໆ​.

3. ສະຖານະການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

ຊັ້ນຍ່ອຍຊິລິໂຄນ nitride: ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ສໍາລັບອຸປະກອນພະລັງງານສູງໃນພາກສະຫນາມເຊັ່ນ: ຍານພາຫະນະພະລັງງານໃຫມ່ແລະເສັ້ນທາງການຂົນສົ່ງທີ່ທັນສະໄຫມ. ເນື່ອງຈາກການປະຕິບັດການລະບາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງ, ມັນເຫມາະສົມກັບຄວາມຕ້ອງການຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືສູງໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ສັບສົນ.

Substrate: ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການຜະລິດ chip ຕ່າງໆ, ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກສະເພາະແມ່ນຂຶ້ນກັບປະເພດຂອງ substrate. ສໍາລັບຕົວຢ່າງ, wafers ຊິລິໂຄນ crystal ດຽວຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການຜະລິດຂອງວົງຈອນປະສົມປະສານແລະ microprocessors, substrates SOI ແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບວົງຈອນປະສົມປະສານປະສິດທິພາບສູງ, ພະລັງງານຕ່ໍາ, ແລະ substrates SiGe ຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບ transistors bipolar heterojunction ແລະວົງຈອນສັນຍານປະສົມ, ແລະອື່ນໆ.